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Diode 600V 0.8A <200ns Silizium F114F
Produktreferenz : F114F
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Technische Produktbeschreibung (F114F):
Diode 600V 0.8A <200ns F114F. Halbleitermaterial: Si. IF(AV): 0.8 A. Info2: GI, S. Vrrm: 600 V.